参数资料
| 型号： | MMT10B230T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRIST TSPD BIDIR 100A 170V SMB |
| 产品变化通告： | TSPD Discontinuation 30/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 265V |
| 电压 - 断路： | 170V |
| 电压 - 导通状态： | 5V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 200pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMT10B230T3GOSCT |
MMT10B230T3, MMT10B260T3, MMT10B310T3
MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Value
Unit
Off?State Voltage ? Maximum
MMT10B230T3
MMT10B260T3
MMT10B310T3
V DM
" 170
" 200
" 270
V
Maximum Pulse Surge Short Circuit Current Non?Repetitive
Double Exponential Decay Waveform
A(pk)
(Notes 1 and 2) (?20 ° C to +65 ° C)
2 x 10 m sec
10 x 700 m sec
10 x 1000 m sec
I PPS1
I PPS2
I PPS3
" 500
" 180
" 100
Maximum Non?Repetitive Rate of Change of On?State Current
di/dt
" 100
A/ m s
Double Exponential Waveform,
R = 2.0, L = 1.5 m H, C = 1.67 m F,
I pk = 110A
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Allow cooling before testing second polarity.
2. Measured under pulse conditions to reduce heating.
THERMAL CHARACTERISTICS
Operating Temperature Range
Characteristic
Symbol
T J1
Max
?40 to + 125
Unit
° C
Blocking or Conducting State
Overload Junction Temperature ? Maximum Conducting State Only
Instantaneous Peak Power Dissipation (I pk = 100 A, 10x1000 m sec @ 25 ° C)
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8 ″ from Case for 10 Seconds
T J2
P PK
T L
+ 175
4000
260
° C
W
° C
ORDERING INFORMATION
MMT10B230T3
MMT10B230T3G
MMT10B260T3
MMT10B260T3G
MMT10B310T3
MMT10B310T3G
Device
Package
SMB
SMB
(Pb?Free)
SMB
SMB
(Pb?Free)
SMB
SMB
Shipping ?
(12mm) Tape & Reel
2500 Units per Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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| MMT10B260T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT10B310T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT10B310T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT10B350T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A Surge 400V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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