参数资料
型号: MMUN2114L
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封装: PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 45K
代理商: MMUN2114L
相关PDF资料
PDF描述
MMUN2214L 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBR536LT3 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBR5031LT3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMUN2112L 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBR951LT3 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMUN2114LT1 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2114LT1 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMUN2114LT1G 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2114LT3 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors
MMUN2114LT3G 功能描述:肖特基二极管与整流器 SS BR XSTR PNP 50V SOT23 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel