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参数资料
| 型号： | MMUN2115LT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MMUN2115LT3 |
MMUN2111LT1 SERIES
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2114LT1
35
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
02
4
6
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8
1015
202530
4045
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
406080
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
LOAD
+12 V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
TA = –25°C
75
°C
25
°C
TA =75°C
25
°C
–25
°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
TA = –25°C
25
°C
75
°C
IC/IB =10
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–25
°C
25
°C
TA =75°C
VCE = 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
1520 40 5060 7080
90
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMUN2133LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2134LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2114LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2112LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMUN2116LT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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