型号: | MMUN2133LT3 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封装: | CASE 318-08, 3 PIN |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 186K |
代理商: | MMUN2133LT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMUN2130LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMUN2134LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMUN2211L | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBR536L | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBR951AL | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMUN2133RLT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
MMUN2134 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
MMUN2134L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k |
MMUN2134LT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
MMUN2134LT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |