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参数资料
| 型号： | MMUN2241LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | MMUN2241LT3 |
MMUN2211LT1 Series
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2214LT1
Figure 17. VCE(sat) vs. IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
204060
80
1
0.1
0.01
0.001
IC/IB = 10
TA = 25°C
25
°C
75
°C
V
CE(sat),
MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15 20 40 50 60 70 80 90
h
FE,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
25
°C
TA = 75°C
25
°C
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
02
46
8
10 15 20 25 30
35 40
45 50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 19. Output Capacitance
f = 1 MHz
lE = 0 A
TA = 25°C
I C,
COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
C
ob,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
10
1
02
46
8
10
Figure 20. Output Current vs. Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
VO = 5 V
TA = 25°C
75
°C
25
°C
10
1
0.1
010
20
30
40
50
Figure 21. Input Voltage vs. Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VO = 0.2 V
V
in,
INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
TA = 25°C
75
°C
25
°C
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PDF描述 |
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