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参数资料
| 型号： | MMXZ5255B |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 28 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | MMXZ5255B |
MMXZ5221B thru MMXZ5259B
www.
mc c semi
.c om
M C C
TYPICAL REVERSE CURRENT
T
o
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
-2
-3
STEADY STATE POWER DERATING
EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
100
10
1
1000
100
10
1
IZ= 1 mA
5 mA
20 mA
D
NORMAL ZENER VOLTAGE, Volts
T
J
=25 C
I
Z(AC)=0.1
I
F=1 kHZ
Z(DC)
F
TYPICAL FORWARD VOLTAGE
FORWARD VOLTAGE, Volts
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1000
100
10
1
75 C
O
5 C
O
25 C
O
150 C
O
TYPICAL CAPACITANCE
100
1000
100
10
1
10
1
BIASAT
50% OF VZNOM
0 V BIAS
1 V BIAS
C
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts
T =25 C
A
o
100
10
1
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts
T
o
10
100
TEMPERATURE ( C)
P
STEADY STATE POWER DERATING
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
P
D V
.
S
. T
A
155
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMXZ5256B | surface mount silicon Zener diodes |
| MMXZ5257B | surface mount silicon Zener diodes |
| MOBILE AMD-K6-2 | 32 Bit Microprocessor With 64-Kbyte Level-one Cache and Advanced RISC86 Superscalar Microarchitecture(32位微处理器带64K字节高速缓存和高级的RISC86超标量微体系结构) |
| MOBILE AMD-K6-III-P | 32 Bit Processor with TriLevel Cache Design and Superscalar MMX Unit(带三级缓存和超标量MMX单元的32位处理器) |
| MOBILE AMD-K6 | 32 Bit Microprocessor With 64-K Byte Level-one Cache and Advanced RISC86 Superscalar Microarchitecture(32位微处理器带64K字节高速缓存和高级的RISC86超标量微体系结构) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMXZ5255B-TP | 功能描述:稳压二极管 200mW 28V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMXZ5256B | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:200 mW Zener Diodes 2.4 to 39 Volts |
| MMXZ5256B-TP | 功能描述:稳压二极管 200mW 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMXZ5257B | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:200 mW Zener Diodes 2.4 to 39 Volts |
| MMXZ5257B-TP | 功能描述:稳压二极管 200mW 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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