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参数资料
型号： MOBILE AMD-K6-III-P
厂商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 32 Bit Processor with TriLevel Cache Design and Superscalar MMX Unit(带三级缓存和超标量MMX单元的32位处理器)
中文描述： 32位处理器TriLevel高速缓存的设计和超标量MMX公司股（带三级缓存和超标量MMX公司单元的32位处理器）
文件页数： 15/106页
文件大小： 2007K
代理商： MOBILE AMD-K6-III-P
Chapter 1
Mobile AMD-K6
-
III
-P Processor
1
22655C/0—September 1999
Mobile AMD-K6
-
III
-P Processor Data Sheet
Preliminary Information
1
Mobile AMD-K6
-
III
-P Processor
I
Advanced 6-Issue RISC86
Superscalar Microarchitecture
Ten parallel specialized execution units
Multiple sophisticated x86-to-RISC86 instruction decoders
Advanced two-level branch prediction
Speculative execution
Out-of-order execution
Register renaming and data forwarding
Issues up to six RISC86 instructions per clock
TriLevel Cache Design
Large On-Chip Split 64-Kbyte Level-One (L1) Cache
32-Kbyte instruction cache with additional predecode cache
32-Kbyte writeback dual-ported data cache
On-die 256-Kbyte full processor speed, backside Level-Two (L2) Cache
Support for external Level-Three (L3) Cache on 100-MHz frontside bus
MESI protocol support
High-Performance IEEE 754-Compatible and 854-Compatible Floating-Point Unit
Superscalar MMX unit supports industry-standard MMX instructions
3DNow! Technology for high-performance multimedia and 3D graphics
capabilities
Compatible with Super7
100-MHz frontside bus or Socket 7 66-MHz notebook
design
Socket 7-Compatible Ceramic Pin Grid Array (CPGA) Package
Industry-Standard System Management Mode (SMM)
IEEE 1149.1 Boundary Scan
x86 Binary Software Compatibility
Low Voltage 0.25-Micron Process Technology
21.3 Million Transistors
The Mobile AMD-K6
-III-P
processor is AMD’s third generation mobile AMD-K6
processor delivering the highest performance yet for x86 notebook PC systems. The
Mobile AMD-K6-III-P processor is based on the advanced Mobile AMD-K6-2 core and
adds AMD's unique TriLevel Cache design for enhanced system performance. The
TriLevel Cache design provides a large 64-Kbyte L1 cache, a 256-Kbyte L2 cache
operating at full processor speed on a backside bus, and up to 1 Mbyte of available L3
cache memory on the external 100-MHz frontside bus. This combination of the largest
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相关PDF资料
PDF描述
MOBILE AMD-K6 32 Bit Microprocessor With 64-K Byte Level-one Cache and Advanced RISC86 Superscalar Microarchitecture(32位微处理器带64K字节高速缓存和高级的RISC86超标量微体系结构)
MP028F036M12AL PRM Regulator 28 Vdc Input
MP151 15 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MP1505 SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 15 Amperes)
MP156 SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 15 Amperes)
相关代理商/技术参数
参数描述
MOBP01-SR1 功能描述:PROGRAMMER FLASH 49K/77G/78A RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 过时/停产零件编号 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:MCU 适用于相关产品:Freescale MC68HC908LJ/LK（80-QFP ZIF 插口） 所含物品:面板、缆线、软件、数据表和用户手册 其它名称:520-1035
MOBZ 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:Oven Controlled Oscillator
MOC119 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MOC119_Q 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MOC119300 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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