参数资料
型号: MOC207M_F132
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 7/10页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER TRANS OUT 8-SOIC
标准包装: 3,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 2500Vrms
电流传输比(最小值): 100% @ 10mA
电流传输比(最大): 200% @ 10mA
输出电压: 70V
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 管件
Ordering Information
Option
V
R2
R2V
Order Entry Identi?er
V
R2
R2V
Description
VDE 0884
Tape and reel (2500 units per reel)
VDE 0884, Tape and reel (2500 units per reel)
Marking Information
1
205
2
V
X YY S
6
De?nitions
3
4
5
1
2
3
4
5
6
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
MOC205M, MOC206M, MOC207M Rev. 1.0.2
Fairchild logo
Device number
VDE mark (Note: Only appears on parts ordered with VDE
option – See order entry table)
One digit year code, e.g., ‘8’
Two digit work week ranging from ‘01’ to ‘53’
Assembly package code
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
MOC207R1M 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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MOC207R1M_Q 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MOC207R1VM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MOC207R2M 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk