参数资料
型号: MOC208R1VM
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 3/10页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER TRANS-OUT 8-SOIC
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 2500Vrms
电流传输比(最小值): 40% @ 10mA
电流传输比(最大): 125% @ 10mA
输出电压: 70V
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 带卷 (TR)
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Emitter
V F
I R
C IN
Input Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Input Capacitance
I F = 10 mA
V R = 6.0 V
1.15
0.001
18
1.5
100
V
μA
pF
DETECTOR
I CEO1
I CEO2
Collector-Emitter Dark Current
V CE = 10 V, T A = 25°C
V CE = 10 V, T A = 100°C
1.0
1.0
50
nA
μA
BV CEO
BV ECO
C CE
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector-Emitter Capacitance
I C = 100 μA
I E = 100 μA
f = 1.0 MHz, V CE = 0
70
7.0
100
10
7.0
V
V
pF
COUPLED
CTR
Collector-Output Current (4)
MOC205M
MOC206M
MOC207M
I F = 10 mA, V CE = 10 V
40
63
100
80
125
200
%
V ISO
Isolation Surge Voltage (1)(2)(3)
f = 60 Hz AC Peak,
2500
Vac(rms)
t = 1 minute
R ISO
Isolation Resistance (2)
V = 500 V
10 11
Ω
V CE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
I C = 2 mA, I F = 10 mA
0.4
V
C ISO
Isolation
Capacitance (2)
V = 0 V, f = 1 MHz
0.2
pF
t on
t off
t r
t f
Turn-On Time
Turn-Off Time
Rise Time
Fall Time
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω (Fig. 12)
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω (Fig. 12)
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω (Fig. 12)
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω (Fig. 12)
7.5
5.7
3.2
4.7
μs
μs
μs
μs
*Typical values at T A = 25°C
Notes:
1. Isolation Surge Voltage, V ISO , is an internal device dielectric breakdown rating.
2. For this test, pins 1 and 2 are common and pins 5, 6 and 7 are common.
3. V ISO rating of 2500 V AC(rms) for t = 1 minute is equivalent to a rating of 3,000 V AC(rms) for t = 1 second.
4. Current Transfer Ratio (CTR) = I C /I F x 100%.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
MOC205M, MOC206M, MOC207M Rev. 1.0.2
3
www.fairchildsemi.com
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参数描述
MOC208R2M 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MOC208R2VM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MOC208VM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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