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参数资料
| 型号： | MOCD208M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT 2CH 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Opto 8-SMD Package |
| 标准包装： | 3,000 |
| 通道数： | 2 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 13% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 125% @ 10mA |
| 输出电压： | 70V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MOCD208-M MOCD208-MQT MOCD208-MQT-ND MOCD208QT |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise speci?ed (3)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min. Typ.* Max.
Unit
Emitter
V F
I R
C
Input Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Capacitance
I F = 30 mA
V R = 6.0 V
All
All
All
1.25
0.001
18
1.55
100
V
μA
pF
Detector
I CEO
I CEO
Collector-Emitter Dark Current
V CE = 10 V, T A = 25°C
V CE = 10 V, T A = 100°C
All
All
1.0
1.0
50
nA
μA
V (BR)CEO Collector-Emitter Breakdown
I C = 100 μA
All
70
100
V
Voltage
V (BR)CEO Emitter-Collector Breakdown
I E = 100 μA
All
7.0
10
V
Voltage
C CE
Collector-Emitter Capacitance
f = 1.0 MHz, V CE = 0 V
All
7.0
pF
Coupled
CTR
Current Transfer Ratio,
Collector to Emitter (4)
I F = 10 mA, V CE = 5 V
MOCD207M
MOCD208M
100
40
200
125
%
I F = 1 mA, V CE = 5 V
MOCD207M
MOCD208M
34
13
V CE (sat) Collector-Emitter Saturation
I C = 2.0 mA, I F = 10 mA
All
0.4
V
Voltage
t on
t off
t r
t f
V ISO
R ISO
Turn-On Time
Turn-Off Time
Rise Time
Fall Time
Isolation Surge Voltage (1)(2)
Isolation Resistance (2)
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω
f = 60 Hz, t = 1 minute,
I I-O ≤ 2 μA
V I-O = 500 V
All
All
All
All
All
All
2500
10 11
3.0
2.8
1.6
2.2
μs
μs
μs
μs
Vac(rms)
Ω
C ISO
Isolation
Capacitance (2)
V I-O = 0 V, f = 1 MHz
All
0.2
pF
*Typical values at T A = 25°C
Notes:
1. Input-Output Isolation Voltage, V ISO , is an internal device dielectric breakdown rating.
2. For this test, pins 1, 2, 3 and 4 are common and pins 5, 6, 7 and 8 are common.
3. Always design to the speci?ed minimum/maximum electrical limits (where applicable).
4. Current Transfer Ratio (CTR) = I C / I F x 100%.
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
MOCD207M, MOCD208M Rev. 1.0.7
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTHM074080 | CONN TERM BLOCK 7POS 7.62MM |
| OSTHB130181 | CONN TERM BLOCK 13POS 5.0MM |
| OSTHX092281 | TERM BLOCK SPRING 3.50MM 9POS |
| FOD2712A | IC OPTOCOUPLER ERROR AMP 8SOIC |
| 39537 | LONG PARTITION 12X18-5/8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MOCD208-M | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:DUAL CHANNEL PHOTOTRANSISTOR |
| MOCD208M_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 SO-8 DUAL CH PHOTO RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| MOCD208R1M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler 2Ch Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| MOCD208R1VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 2Ch Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| MOCD208R2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler 2Ch Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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