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参数资料
| 型号： | MOCD217M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT 2CH 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Opto 8-SMD Package |
| 标准包装： | 50 |
| 通道数： | 2 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MOCD217-M MOCD217-MQT MOCD217-MQT-ND MOCD217QT |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.* Max.
Unit
Emitter
V F
I R
C
Input Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Capacitance
I F = 10 mA
V R = 6.0 V
1.05
0.1
18
1.3
100
V
μA
pF
Detector
I CEO1
I CEO2
Collector-Emitter Dark Current
V CE = 10 V, T A = 25°C
V CE = 10 V, T A = 100°C
1.0
1.0
50
nA
μA
BV CEO
Collector-Emitter Breakdown
I C = 100 μA
30
90
V
Voltage
BV ECO
Emitter-Collector Breakdown
I E = 100 μA
7.0
7.8
V
Voltage
C CE
Collector-Emitter Capacitance
f = 1.0 MHz, V CE = 0 V
7.0
pF
Coupled
CTR
Current Transfer Ratio (4)
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
100
130
%
V CE (sat) Collector-Emitter Saturation
I C = 2.0 mA, I F = 10 mA
0.35
0.4
V
Voltage
t on
Turn-On Time
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V, R L = 100 Ω
7.5
μs
(Fig. 8)
t off
Turn-Off Time
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V, R L = 100 Ω
5.7
μs
(Fig. 8)
t r
Rise Time
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V, R L = 100 Ω
3.2
μs
(Fig. 8)
t f
Fall Time
I C = 2.0 mA, V CC = 10 V, R L = 100 Ω
4.7
μs
(Fig. 8)
V ISO
Isolation Surge Voltage (1)(2)(3)
f = 60 Hz, t = 1 minute
2500
Vac(rms)
R ISO
Isolation Resistance
(2)
V I-O = 500 V
10 11
Ω
C ISO
Isolation Capacitance (2)
V I-O = 0 V, f = 1 MHz
0.2
pF
*Typical values at T A = 25°C
Notes:
1. Input-Output Isolation Voltage, V ISO , is an internal device dielectric breakdown rating.
2. For this test, pins 1, 2, 3 and 4 are common and pins 5, 6, 7 and 8 are common.
3. V ISO rating of 2500 V AC(rms) for t = 1 minute is equivalent to a rating of 3,000 V AC(rms) for t = 1 second.
4. Current Transfer Ratio (CTR) = I C / I F x 100%.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
MOCD217M Rev. 1.0.5
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| OSTVJ064150 | CONN TERM BLOCK 7.5MM 6POS PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MOCD217R1M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler LC 2Ch Phototrans RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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