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参数资料
| 型号： | MP6759 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-78A1A, 11 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | MP6759 |
MP6759
2002-11-20
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
C – VCE
C
apaci
tanc
e
C
(p
F)
Collector current IC (A)
Gate resistance RG ()
Switching Time – RG
Switch
in
gti
m
e
(
s)
Forward current IF (A)
trr, Irr – IF
P
eak
rev
ers
er
eco
ver
ycu
rr
ent
I rr
(A
)
R
ev
e
rs
e
rec
ov
e
ry
time
t
rr
(×
1
00
ns)
Forward voltage VF (V)
IF – VF
Fo
rw
ar
d
cu
rr
en
t
I
F
(A
)
Charge QG (nQ)
VCE, VGE – QG
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
5
0.5
Cies
Coes
Cres
Common emitter
VGE = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
3
10
30
100
300
1000
10
30
100
300
1000
3000
0.1
0
Irr
trr
Common cathode
di/dt = 100 A/s
VGE = 10 V
Tc = 25°C
0.3
0.5
1
3
5
10
4
8
12
16
0
Common cathode
VGE = 0 V
0
Tc = 125°C
25
40
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4
8
12
16
20
100
0.03
1
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
50
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
RG = 100
Tc = 25°C
ton
tr
toff
tf
0.02
0
VCE = 0 V
100
200
8
16
24
32
40
4
8
12
16
20
Common emitter
RL = 30
Tc = 25°C
300
Switching Time – IC
Switch
in
gti
m
e
(
s)
0.1
10
30
50
100
300
500
1000
0.3
0.5
1
3
5
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
IC = 10 A
Tc = 25°C
ton
tr
toff
tf
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