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参数资料
| 型号： | MPC5534MVM80 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 1MB FLASH 80MHZ 208MAPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MPC55xx Qorivva |
| 核心处理器： | e200z6 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，以太网，SCI，SPI |
| 外围设备： | DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 192 |
| 程序存储器容量： | 1MB（1M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 64K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.35 V ~ 1.65 V |
| 数据转换器： | A/D 34x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 208-BGA |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | Q4437099 T0850514 |
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Electrical Characteristics
MPC5534 Microcontroller Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
25
2
Medium high voltage (MH)
11
16
8
50
43
30
200
01
34
15
50
61
35
200
00
192
100
50
239
125
200
3Fast
00
3.1
2.7
10
01
2.5
20
10
2.4
30
11
2.3
50
4
Pullup/down (3.6 V max)
—
7500
50
5
Pullup/down (5.5 V max)
—
9000
50
1 These are worst-case values that are estimated from simulation (not tested). The values in the table are simulated at:
VDD = 1.35–1.65 V; VDDE = 1.62–1.98 V; VDDEH = 4.5–5.25 V; VDD33 and VDDSYN = 3.0–3.6 V; and TA =TL to TH.
2 This parameter is supplied for reference and is guaranteed by design (not tested).
3 The output delay is shown in Figure 4. To calculate the output delay with respect to the system clock,
add a maximum of one system clock to the output delay.
4 The output delay and rise and fall are measured to 20% or 80% of the respective signal.
5 This parameter is guaranteed by characterization rather than 100% tested.
Table 18. Derated Pad AC Specifications (VDDEH = 3.3 V, VDDE = 3.3 V)
1
Spec
Pad
SRC/DSC
(binary)
Out Delay 2, 3, 4
(ns)
Rise / Fall 3, 5
(ns)
Load Drive
(pF)
1
Slow high voltage (SH)
11
39
23
50
120
87
200
01
101
52
50
188
111
200
00
507
248
50
597
312
200
2
Medium high voltage (MH)
11
23
12
50
64
44
200
01
50
22
50
90
50
200
00
261
123
50
305
156
200
Table 17. Pad AC Specifications (VDDEH = 5.0 V, VDDE = 1.8 V)
1 (continued)
Spec
Pad
SRC / DSC
(binary)
Out Delay 2, 3, 4
(ns)
Rise / Fall 4, 5
(ns)
Load Drive
(pF)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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