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参数资料
| 型号： | MPC8313ECVRAGDB |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/99页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU POWERQUICC II PRO 516-PBGA |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | MPC83xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| 速度： | 400MHz |
| 电压： | 0.95 V ~ 1.05 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 516-BBGA 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 516-PBGAPGE（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
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MPC8313E PowerQUICC II Pro Processor Hardware Specifications, Rev. 4
12
Freescale Semiconductor
This table shows the estimated core power dissipation of the MPC8313E while transitioning into the
D3 warm low-power state.
4
Clock Input Timing
This section provides the clock input DC and AC electrical characteristics for the MPC8313E.
4.1
DC Electrical Characteristics
This table provides the system clock input (SYS_CLK_IN/PCI_SYNC_IN) DC timing specifications for
the MPC8313E.
USBDR controller load = 20 pF
60 MHz
—
0.078
—
W
—
Other I/O
—
0.015
—
W
—
Table 6. MPC8313E Low-Power Modes Power Dissipation1
333-MHz Core, 167-MHz CSB
2
Rev. 1.0
3
Rev. 2.x or Later
3
Unit
D3 warm
400
425
mW
Note:
1. All interfaces are enabled. For further power savings, disable the clocks to unused blocks.
2. The interfaces are run at the following frequencies: DDR: 333 MHz, eLBC 83 MHz, PCI 33 MHz,
eTSEC1 and TSEC2: 167 MHz, SEC: 167 MHz, USB: 167 MHz. See the SCCR register for more
information.
3. This is maximum power in D3 Warm based on a voltage of 1.05 V and a junction temperature of 105
C.
Table 7. SYS_CLK_IN DC Electrical Characteristics
Parameter
Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Input high voltage
—
VIH
2.4
NVDD +0.3
V
Input low voltage
—
VIL
–0.3
0.4
V
SYS_CLK_IN input current
0 V
V
IN NVDD
IIN
—±10
A
PCI_SYNC_IN input current
0 V
V
IN 0.5 V
or
NVDD – 0.5 V VIN NVDD
IIN
—±10
A
PCI_SYNC_IN input current
0.5 V
V
IN NVDD –0.5V
IIN
—
±50
A
Table 5. MPC8313E Typical I/O Power Dissipation (continued)
Interface
Parameter
GVDD
(1.8 V)
GVDD
(2.5 V)
NVDD
(3.3 V)
LVDDA/
LVDDB
(3.3 V)
LVDDA/
LVDDB
(2.5 V)
LVDD
(3.3 V)
Unit
Comments
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参数描述 |
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