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参数资料
| 型号： | MPF102 |
| 厂商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | 0.012 X 0.013 INCH, DIE-2 |
| 文件页数： | 1/60页 |
| 文件大小： | 1774K |
| 代理商： | MPF102 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MFE823 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MFE2000 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MFE2005 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MPF109 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MFR18060BLR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPF102_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| MPF102_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET VHF Amplifier |
| MPF102_D27Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MPF102_D74Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MPF102_D74Z_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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