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参数资料
| 型号： | MPG06M/23 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | MINIATURE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | MPG06M/23 |
MPG06A thru MPG06M
Document Number 88682
13-Sep-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.4
0.8
1.0
1.2
1.6
1.8
1.4
0.6
0.01
0.1
10
1
30
TJ = 150 °C
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0.01
0.1
10
1
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
020
40
60
80
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
1
10
100
1
10
30
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
10
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
1.0 (25.4)
MIN.
1.0 (25.4)
MIN.
0.125 (3.18)
0.115 (2.92)
0.100 (2.54)
0.090 (2.29)
0.025 (0.635)
0.023 (0.584)
DIA
DIA.
Case Style MPG06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR120/54 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| MSS1P5-E3/89A | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MURS120-E3/2CT | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| MURS320/59T | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| MPG06G/3 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MPG06M-E3/23 | 功能描述:整流器 1000 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MPG06M-E3/3 | 功能描述:整流器 1000 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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