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参数资料
| 型号： | MPQ3467 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | MPQ3467 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS3398 | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MG50N2CK1 | 50 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MH8108 | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MMPQ3904/D84Z | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS6534J18Z | 600 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPQ3725 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Quad NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPQ3725A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Quad Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPQ3762 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPQ3798 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
| MPQ3799 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
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