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参数资料
| 型号： | MPS2222-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MPS2222-AP |
MPS2222-L
NPN General
Purpose Amplifier
TO-92
Features
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=10mAdc, IB=0)
30
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=10
Adc, IE=0)
60
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=10
Adc, IC=0)
5.0
Vdc
IcBo
Base Cutoff Current
(VCB=50Vdc, IE=0)
0.1
uAdc
ICEO
Collector Cutoff Current
(VCB=3.0Vdc, IC=0)
0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
Vdc
A
E
B
C
D
G
Collector-current :0.6A
Revision: 4
2008/02/01
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.175
.185
4.45
4.70
B
.175
.185
4.45
4.70
C
.500
-------
12.70
--------
D
.016
.020
0.41
0.56
E
.135
.145
3.43
3.68
G
.095
.105
2.42
2.67
TM
Micro Commercial Components
Through Hole Package
Capable of 625mWatts of Power Dissipation
Operating and storage junction temperature range:
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)
1.0
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)
2.0
fT
Transition frequency
(IC=20mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)
300
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
hFE(1)
hFE(2)
Rank
Range
L
H
100-200
200-300
Τj.Tstg:-55 to+150
°C
CB
E
Pin Configuration
Bottom View
www.mccsemi.com
1 of 2
Case Material: Molded Plastic.
UL Flammability
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1
Marking:Type number
100
300
60
MPS2222
MPS2222-H
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2222-L | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2222 | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2222-H | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2222A-AP | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2222A-BP | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS2222ARL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ARLE | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPS2222ARLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ARLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ARLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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