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参数资料
| 型号： | MPS2369/D28Z-J61Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | MPS2369/D28Z-J61Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA4T638035 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA20/D26Z-J25Z | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MGF1423BV-01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MHPM6B7E60D3 | 7 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPF4392-5 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS2369G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2470AIY WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| MPS2471AIY WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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