收藏本站
参数资料
型号： MPS2369A
厂商： DIODES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件页数： 1/2页
文件大小： 33K
代理商： MPS2369A
NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
FEATURES
* 40 Volt VCEO
* Very fast switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
15
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
4.5
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
300
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
40
V
IC=10A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
15
V
IC=10mA, IB=0*
V(BR)CES
40
V
IC=10A, VBE=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
4.5
V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off Current
ICBO
25
30
nA
A
VCB=20V, IE=0
VCB=20V, IE=0, Tamb=150°C
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.2
V
IC=10mA, IB=1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
0.7
0.85
V
IC=10mA, IB=1mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
40
20
120
IC=10mA, VCE=1V*
IC=10mA, VCE=1V, Tamb=-55°C*
IC=100mA, VCE=1V*
Output Capacitance
Cobo
4pF
VCB=5V, IE=0, f=140KHz
Turn-on Time
ton
12
ns
VCC=3V, VBE(off)=1.5V IC=10mA,
IB1=3mA (See tONcircuit)
Turn-off Time
toff
18
ns
VCC=3V, IC=10mA, IB1=3mA
IB2=1.5mA(See tOFFcircuit)
Storage Time
ts
13
ns
IC=IB1= IB2=10mA
(See Storage test circuit)
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤ 2%
E-Line
TO92 Compatible
C
B
E
MPS2369A
3-68
MPS2369A
270
3K3
3V
C < 4pF *
S
t1
< 1ns
+10.6V
0
-1.5V
Pulse width (t1)=300ns
Duty cycle = 2%
tONCIRCUIT
270
3K3
3V
C < 4pF *
S
t1
< 1ns
+10.75V
0
-4.15V
Pulse width (t1)=300ns
Duty cycle = 2%
tOFFCIRCUIT
980
500
10V
C < 3pF *
S
t1
< 1ns
+6V
0
-4V
Pulse width (t1)=300ns
Duty cycle = 2%
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
STORAGE TEST CIRCUIT
3-69
相关PDF资料
PDF描述
MPS2369RL1 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2369ARLRP 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2369ARL1 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2369ARLRE 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2369ZL1 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MPS2369AG 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ARLRP 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ARLRPG 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ASTOA 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ASTOB 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*