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参数资料
| 型号： | MPS2907A-L-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | MPS2907A-L-AP |
MPS2907A-L/H
PNP Silicon
Plastic-Encapsulate
Transistor
Features
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current -0.6A
Collector-base Voltage -60V
Operating and storage junction temperature range: -55
OC to
+150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=-10mAdc, IB=0)
MPS2907
MPS2907A
-40
-60
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=-10uAdc, IE=0)
-60
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=-10uAdc, IC=0)
-5.0
---
Adc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=-50Vdc, IE=0)
MPS2907
MPS2907A
---
-0.1
-0.01
uAdc
ICEO
Collector Cutoff Current
(VCE=-35Vdc, IE=0)
MPS2907
MPS2907A
---
-0.1
-0.05
Vdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=-3.0Vdc, IC=0)
MPS2907
MPS2907A
---
-0.1
-0.01
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE-1
DC Current Gain
(IC=-150mAdc, VCE=-10Vdc)
100
300
---
hFE-2
DC Current Gain
(IC=-1.0mAdc, VCE=-10Vdc)
MPS2907
60
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)
---
-0.6
Vdc
V(BE)sat
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)
---
-1.2
Vdc
fT
Transition Frequency
(VCE=-20Vdc, IC=-50mAdc, f=100MHz)
MHz
CLASSIFICATION OF HFE
Rank
L
H
Range
100-200
200-300
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.175
.185
4.45
4.70
B
.175
.185
4.45
4.70
C
.500
---
12.70
---
D
.016
.020
0.41
0.63
E
.135
.145
3.43
3.68
G
.095
.105
2.42
2.67
A
E
B
C
D
G
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
DIMENSIONS
TO-92
www.mccsemi.com
1 of 2
Marking
: MPS2907/MPS2907A
200
---
MPS2907-L/H
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
E
B
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2907A-L-BP | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2907A-H-BP | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3568RLRM | 600 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3568RLRP | 600 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3568RL1 | 600 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS2907ARL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907ARL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907ARL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907ARLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907ARLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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