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参数资料
| 型号： | MPS3640RL1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | MPS3640RL1 |
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2–552
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Switching Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–12
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–12
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–80
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
–12
—
Vdc
Collector – Emitter Sustaining Voltage(1)
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
–12
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–12
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = –6.0 Vdc, VBE = 0)
(VCE = –6.0 Vdc, VBE = 0, TA = 65°C)
ICES
—
–0.01
–1.0
Adc
Base Current
(VCE = –6.0 Vdc, VEB = 0)
IB
—
–10
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS3640
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS3640RLRM | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| MPS404AZL1 | 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS404ARL1 | 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS404ARL | 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS3642C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN TRANSISTOR |
| MPS3646 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS3646C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN TRANSISTOR |
| MPS3646G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS3646RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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