型号: | MPS6507 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
文件页数: | 17/24页 |
文件大小: | 1994K |
代理商: | MPS6507 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPS706 | 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6576 | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6564 | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6560 | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6540 | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPS650G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS650G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor Transistor Polarity:S |
MPS650RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS650RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS650ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |