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参数资料
| 型号： | MPS6507RL1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | MPS6507RL1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2369Q | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS3563ZL1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MOD1021S | 35 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPS2369/D10Z-J25Z | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA13/D89Z-J22Z | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS650G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor Transistor Polarity:S |
| MPS650RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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