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参数资料
| 型号： | MPS6507RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/32页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | MPS6507RL |
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Surface Mount Information
7–12
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Footprints for Soldering
0.094
2.4
SC–59
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.039
1.0
0.031
0.8
SOT–23
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
SO–14, SO–16
mm
inches
0.060
1.52
0.275
7.0
0.024
0.6
0.050
1.270
0.155
4.0
SOT–223
0.079
2.0
0.15
3.8
0.248
6.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
mm
inches
mm
inches
0.035
0.9
0.075
0.7
1.9
0.028
0.65
0.025
0.65
0.025
SC–70/SOT–323
1.4
1
0.5 min. (3x)
0.5
min.
(3x)
0.5
SOT 416/SC–90
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6507RLRA | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6507RL1 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6507ZL1 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS650RL | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS650RL1 | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS650G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor Transistor Polarity:S |
| MPS650RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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