- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98029 > MPS650RL1 (ON SEMICONDUCTOR) 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MPS650RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | MPS650RL1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
2–531
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 5. MPS650, MPS651
Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.05
1.0
0
NPN
IB, BASE CURRENT (mA)
PNP
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Figure 6. MPS750, MPS751
Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100 200 500
TJ = 25°C
IC = 10 mA IC = 100 mA IC = 500 mA
IC = 2.0 A
IC = –10 mA
IC = –100 mA
IC = –500 mA
IC = –2.0 A
–0.0
5
–1.0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–0.6
–0.7
–0.8
–0.9
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
10
4.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
I C
,COLLECT
OR
C
U
RRENT
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. MPS650, MPS651 SOA,
Safe Operating Area
TA = 25°C
1.0 ms
TC = 25°C
100
s
–10
–4.0
–2.0
–1.0
–0.5
–0.2
–0.1
–0.02
–0.01
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
100
s
1.0 ms
TA = 25°C
TC = 25°C
MPS65
0
MPS65
1
MPS75
0
MPS75
1
WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
–0.05
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. MPS750, MPS751 SOA,
Safe Operating Area
NPN
PNP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS651RLRE | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS651RL1 | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS750RL1 | 2000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS751RLRE | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS650RLRM | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS650RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。