- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录80629 > MPS6515/D26Z{OPTION18} (NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP) 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MPS6515/D26Z{OPTION18} |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | MPS6515/D26Z{OPTION18} |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH24/D28Z{OPTION5} | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6523/D74Z{OPTION5} | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10/D10Z{OPTION18} | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63/D26Z{OPTION18} | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63/D29Z{OPTION5} | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6516 | 制造商:FLORIDA MISC. 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPS6517 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6517 LEDFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6518 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power 40V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6518_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。