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参数资料
| 型号： | MPS651Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | MPS651Y |
1999. 11. 30
1/3
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MPS651
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 2
VOLTAGE REGULATOR, RELAY,
LAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE
FEATURES
High Voltage : VCEO=60V(Min.).
High Current : IC(Max.)=1A.
High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).
Wide Area of Safe Operation.
Complementary to MPS751.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
TO-92
DIM
MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1
2
3
B
A
J
K
G
H
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAX
M
1.00
N
1. EMITTER
3. COLLECTOR
2. BASE
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=50V, IE=0
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
-
100
nA
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=2V, IC=50mA
100
-
320
hFE(2)
VCE=2V, IC=1A
30
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, IB=0
60
-
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=500mA, IB=50mA
-
0.15
0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=500mA, IB=50mA
-
0.85
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=10V, IC=50mA
-
150
-
MHz
Collector Output Capacitanc
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
-
12
-
pF
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
DC
IC
1
A
Pulse
ICP
2
Collector Power Dissipation
PC
625
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : hFE(1) Classification
Y:100
200 , GR:160
320
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS651 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS651GR | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6520-T/R | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6520 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6520 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6520 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6520C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN TRANSISTOR |
| MPS6521 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6521 LEDFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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