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参数资料
| 型号： | MPS6521RLRP |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 480K |
| 代理商： | MPS6521RLRP |
NPN MPS6521 PNP MPS6523
http://onsemi.com
834
PNP
MPS6523
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 28. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.003
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
-55°C
25°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 29. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 30. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*qVC for VCE(sat)
qVB for VBE
0.1
0.2
0.5
Figure 31. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.002
TA = 25°C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 32. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
PULSE WIDTH = 300 s
DUTY CYCLE ≤ 2.0%
IB = 400 A
350 A
300 A
250 A
200 A
*APPLIES for IC/IB ≤ hFE/2
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
40
60
0.005
0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.4
0.8
0
1.6
0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
150 A
100 A
50 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6521ZL1 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521RL | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521RLRM | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6523RLRM | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6523RLRA | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6522 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6523 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6523_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
| MPS6523_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6523_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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