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参数资料
| 型号： | MPS6530 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/24页 |
| 文件大小： | 1994K |
| 代理商： | MPS6530 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6725-5 | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA64/D28Z-J61Z | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRW2001F | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBFJ175L | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MGF4919F-01 | K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6531 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6531_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| MPS6531_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6531_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6531_D75Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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