型号: | MPS6530RL1 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 30K |
代理商: | MPS6530RL1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTP3N60E16 | 3 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP15N05LFI | 10 A, 50 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MHT8N20 | 8 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
MPSW05RLRB | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MTP50N05E16 | 50 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPS6531 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6531_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
MPS6531_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6531_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6531_D75Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |