参数资料
型号: MPS6532TRF
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数: 1/6页
文件大小: 406K
代理商: MPS6532TRF
相关PDF资料
PDF描述
MPSA18TRH 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3711TRH 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3721-18F 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3827-5T1 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MMBT4403L99Z 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MPS6533 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MPS6534 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS6534_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
MPS6534_D26Z 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS6534_D75Z 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2