型号: | MPS6560 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 71K |
代理商: | MPS6560 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPS4355 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS3705 | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6562 | 600 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6561 | 600 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MA8002 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPS6560G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6561 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6562 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6562 D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Ammo |
MPS6562_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |