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参数资料
| 型号： | MPS6601 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | MPS6601 |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 NOVEMBER 94
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
25
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
25
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
4V
Continuous Collector Current
IC
1A
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
625
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
25
V
IC=100A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
25
V
IC=1mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
4V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
0.1
A
VCB=25V, IE=0
Collector Cut-Off
Current
ICES
0.1
A
VCE=25V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.6
V
IC=1A, IB=100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
1.2
V
IC=500mA, VCE=1V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
50
30
IC=100mA, VCE=1V*
IC=500mA, VCE=1V*
IC=1A, VCE=1V*
Transition
Frequency
fT
100
MHz
IC=50mA, VCE=10V
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
MPS6601
3-74
E
B
C
TO92
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MPS6602RLRA | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6602RL1 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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