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参数资料
| 型号： | MPS6717RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/34页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | MPS6717RL1 |
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MPS6717
2–606
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 250 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
80
50
—
250
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 250 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
—
0.5
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = 250 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on)
—
1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Collector–Base Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
30
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
hfe
2.5
25
—
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
100
80
60
40
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = 1.0 V
300
500
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
10
1.0
TJ = 25°C
IC = 10 mA
0.05
0.2
0.5
2.0
5.0
20
100 mA
250 mA
50
mA
50
500 mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
1.0
200
20
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
5.0
10
50
100
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.0
500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6717RL | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6717RLRE | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6717ZL1 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6724RLRE | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6725RL | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MPS6717RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6724 | 功能描述:达林顿晶体管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6724G | 功能描述:达林顿晶体管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6724RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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