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参数资料
| 型号： | MPS6725RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | MPS6725RL1 |
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2–608
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
One Watt Darlington Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS6724
MPS6725
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCES
40
50
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
50
60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
12
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
1000
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage (1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPS6724
MPS6725
V(BR)CES
40
50
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IE = 0)
MPS6724
MPS6725
V(BR)CBO
50
60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
MPS6724
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
MPS6725
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS6724
MPS6725
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
REV 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6724RL1 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6724ZL1 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6725RLRM | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6724RLRM | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6726ZL1 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6725RLRP | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6725RLRPG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6726 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6726_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors |
| MPS6726G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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