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参数资料
| 型号： | MPS6726RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | MPS6726RL1 |
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2–611
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
One Watt Amplifier Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
MPS6726
MPS6727
VCEO
–30
–40
Vdc
Collector – Base Voltage
MPS6726
MPS6727
VCBO
–40
–50
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPS6726
MPS6727
V(BR)CEO
–30
–40
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –100 mAdc, IE = 0)
MPS6726
MPS6727
V(BR)CBO
–40
–50
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –40 Vdc, IE = 0)
MPS6726
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
MPS6727
ICBO
—
–0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–0.1
Adc
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS6726
MPS6727
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6727RL | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6727RLRM | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6727RL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6726RL | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6726RLRE | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6727 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6727G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6729 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6729G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS70316CIN WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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