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参数资料
| 型号： | MPS751J18Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | MPS751J18Z |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2001
MPS
751
Absolute Maximum Ratings T
C=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
C=25°C unless otherwise noted
Notes:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
3. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150degrees C.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60
V
IC
Collector Current (DC)
2
A
PC
Collector Dissipation (Ta=25°C) (Note 2, 3)
625
mW
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
BVCBO
Collector-Base Voltage
IC = 10A80
V
BVCEO
Collector-Emitter Voltage
IC = 2mA
60
V
BVEBO
Emitter-Base Voltage
IE = 10A5
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB = 30V
100
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 3V
100
nA
hFE
DC Current Gain
VCE = 2V, IC = 50mA
VCE = 2V, IC = 500mA
VCE = 2V, IC = 1A
VCE = 2V, IC = 2A
75
40
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 2A, IB = 200mA
IC = 1A, IB = 100mA
0.5
0.3
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 1A, IB = 100mA
1.2
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
VCE = 5V, IC = 2mA
1
V
fT
Current gain Bandwidth Product
VCE = 5V, IC = 50mA
f = 100MHz
75
MHz
MPS751
Silicon PNP Transistor (Note 1)
Low Saturation Voltage
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述 |
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