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参数资料
| 型号： | MPS751RLRM |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | MPS751RLRM |
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2–529
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS650
MPS750
MPS651
MPS751
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCE
40
60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
2.0
Adc
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watt
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS650, MPS750
MPS651, MPS751
V(BR)CEO
40
60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0 )
MPS650, MPS750
MPS651, MPS751
V(BR)CBO
60
80
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IC = 0, IE = 10 Adc)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPS650, MPS750
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
MPS651, MPS751
ICBO
—
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 4.0 V, IC = 0)
IEBO
—
0.1
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
MPS650
MPS651
PNP
MPS750
MPS751
*Motorola Preferred Devices
*
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
Voltage and current are
negative for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6520 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521RLRP | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521ZL1 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521RL | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521RLRM | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS751RLRP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS751RLRPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS751ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS751ZL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS7520A WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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