参数资料
型号: MPS8598RLRE
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-226AA, 3 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 196K
代理商: MPS8598RLRE
Amplifier Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS8098
MPS8598
MPS8099
MPS8599
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
6.0
5.0
Vdc
Collector Current – Continuous
IC
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
September, 2001 – Rev. 2
847
Publication Order Number:
MPS8098/D
NPN
MPS8098
MPS8099
PNP
MPS8598
MPS8599
*ON Semiconductor Preferred Device
*
CASE 29–11, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
Voltage and current are negative
for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
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MPS8599G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MPS8599RLRAG 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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