参数资料
型号: MPSA05-AMMO
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数: 1/2页
文件大小: 37K
代理商: MPSA05-AMMO
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MPSA05-AP 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA05DA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP
MPSA05DB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP
MPSA05DC 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP
MPSA05G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2