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参数资料
| 型号： | MPSA05-STYLE-D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | MPSA05-STYLE-D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA55-STYLE-C | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE1300716 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13006T | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE16204N | 6 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPS6520-STYLE-F | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA05STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA05-T | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92 制造商:Lite-On Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92 |
| MPSA06 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A06 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| MPSA06 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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