- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录80656 > MPSA06-STYLE-E 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MPSA06-STYLE-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MPSA06-STYLE-E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBFJ202 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MJE1610616 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE2360T16A | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE2360TA | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE2360TWD | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA06STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06T93 | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRVR NPN 80V .5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06ZL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MPSA09 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 NPN50V .05A .310W EBC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。