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参数资料
| 型号： | MPSA12/D11Z{OPTION5} |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | MPSA12/D11Z{OPTION5} |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA12/D10Z{OPTION5} | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA12/D10Z{OPTION18} | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14/D29Z | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14/D29Z{OPTION18} | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14/D27Z{OPTION18} | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA12DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA12DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | CHIP |
| MPSA12DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | CHIP |
| MPSA12G | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA12P | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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