型号: | MPSA12/D29Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 134K |
代理商: | MPSA12/D29Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPSA12/D74Z{OPTION5} | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6562/D81Z{OPTION5} | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE5740S | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MA42141 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MJE5851A | 8 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSA12DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
MPSA12DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | CHIP |
MPSA12DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | CHIP |
MPSA12G | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSA12P | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |