型号: | MPSA13/D11Z{OPTION18} |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 134K |
代理商: | MPSA13/D11Z{OPTION18} |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPS6514/D26Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE5731N | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE5740WD | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MPS3663 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE8500W | 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSA13DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
MPSA13DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
MPSA13DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
MPSA13G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSA13G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |