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参数资料
| 型号： | MPSA13TPE2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | MPSA13TPE2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA13TPER1 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA14 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA16-18 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA17-5 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA13ZL1 | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA13ZL1G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA14 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN GP Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS-A14 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON RANSISTORS |
| MPSA14,116 | 功能描述:达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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