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参数资料
| 型号： | MPSA17RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | MPSA17RL |
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MPSA17
2–631
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Small Signal Current Gain
Figure 3. Saturation and On Voltages
Figure 4. Current–Gain — Bandwidth Product
Figure 5. Output Capacitance
0.1
0.2
0.05
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
500
200
100
70
50
1.0
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
700
500
400
300
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
100
1.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
0
20
3.0
0.5
2.0
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
30
20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.7
40
0.4
10
7.0
4.0
2.0
1.0
TA = 25°C
VCE = 10 Vdc
TA = 25°C
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25°C
VCE = 5.0 Vdc
h
fe
,DC
CURRENT
GAIN
h
fe
,SMALL
SIGNAL
CURRENT
GAIN
C
ob
,OUTPUT
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
20
10
4.0
2.0
7.0
10
5.0
20
1.0
2.0
0.5
10
20
5.0
50
300
0.3
0.5 0.7
5.0 7.0
200
2.0 3.0
5.0
30
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE (SAT) @ IC/IB = 10
VBE(on)
f T
,CURRENT–GAIN
–
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA17RLRA | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17RL1 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17RLRE | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA20/D81Z-J25Z | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA18 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18 LEADFREE | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| MPSA18_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| MPSA18_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18_D26Z_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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