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参数资料
| 型号： | MPSA17ZL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | MPSA17ZL1 |
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2–629
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Chopper Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
40
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
15
Vdc
Collector Current – Continuous
IC
100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
125
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 0.1 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
15
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSA17
Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
(Replaces MPSA16/D)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA17RLRM | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17RL | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17RLRA | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17RL1 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA17RLRE | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA18 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18 LEADFREE | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| MPSA18_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| MPSA18_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18_D26Z_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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