参数资料
型号: MPSA42
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: Small Signal Transistors
中文描述: 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-92, 3 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 135K
代理商: MPSA42
Small Signal Transistors
TO-92 Case
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
TYPE NO.
DESCRIPTION
LEAD
VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
hFE
@ VCE @ IC
VCE (SAT) @ IC Cob
fT
NF
toff
CODE
(nA)
(V)
*ICES
(V)
*hFE
(V)
(mA)
(V)
(mA)
(pF) (MHz) (dB)
*VCES
*ICEV
(1kHZ)
*Crb *TYP
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX MAX
2N2712
NPN AMPL/SWITCH
ECB
18
5.0
500
18
75
250
- -
12
2.8
- -
2N2714
NPN AMPL/SWITCH ECB
18
5.0
100
18
75
250
0.30
50
1.20
50
- -
2N2923
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
90
180*
- -
10
160*
- -
2N2924
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
150
300*
- -
10
160*
- -
2N2925
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
235
470*
- -
10
160*
2.8
- -
2N2926
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
500
18
35
470*
- -
10
120*
2.8
- -
2N3391A
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
250
500
4.50
2.0
- -
10
120*
5.0
- -
2N3392
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
150
300
4.50
2.0
- -
10
120*
- -
2N3393
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
90
180
4.50
2.0
- -
10
120*
- -
2N3395
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
150
500
4.50
2.0
- -
10
- -
2N3396
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
90
500
4.50
2.0
- -
10
- -
2N3397
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
55
500
4.50
2.0
- -
10
- -
2N3398
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
55
800
4.50
2.0
- -
10
- -
2N3415
NPN LOW NOISE
ECB
25
5.0
100
25
180
540
4.50
2.0
0.30
50
- -
2N3416
NPN LOW NOISE
ECB
50
5.0
100
25
75
225
4.50
2.0
0.30
50
- -
2N3417
NPN LOW NOISE
ECB
50
5.0
100
50
180
540
4.50
2.0
0.30
50
- -
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PNP AMPL/SWITCH
ECB
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25
5.0
100
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5.0
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0.25
50
12
100
- -
2N3703
PNP AMPL/SWITCH
ECB
50
30
5.0
100
20
30
150
5.0
0.05
0.25
50
12
100
- -
2N3704
NPN AMPL/SWITCH ECB
50
30
5.0
100
20
100
300
2.0
50
0.60
100
12
100
- -
2N3705
NPN AMPL/SWITCH ECB
50
30
5.0
100
20
50
150
2.0
50
0.80
100
12
100
- -
2N3706
NPN AMPL/SWITCH ECB
40
20
5.0
100
20
30
600
2.0
50
1.0
100
12
100
- -
2N3707
NPN LOW NOISE
ECB
30
6.0
100
20
100
400
5.0
1.0
10
- -
5.0
- -
2N3708
NPN LOW NOISE
ECB
30
6.0
100
20
45
660
5.0
1.0
10
- -
5.0
- -
2N3709
NPN LOW NOISE
ECB
30
6.0
100
20
45
165
5.0
1.0
10
- -
5.0
- -
2N3710
NPN LOW NOISE
ECB
30
6.0
100
20
90
330
5.0
1.0
10
- -
5.0
- -
2N3711
NPN LOW NOISE
ECB
30
6.0
100
20
180
660
5.0
1.0
10
- -
5.0
- -
2N3859A
NPN LOW NOISE
ECB
60
6.0
50
60
100
200
4.50
2.0
0.125
10
4.0
- -
5.0
- -
2N3860
NPN LOW NOISE
ECB
30
4.0
50
30
150
300
4.50
2.0
0.125
10
4.0
90
- -
2N3903
NPN AMPL/SWITCH EBC
60
40
6.0
50*
30
50
150
1.0
10
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50
4.0
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NPN AMPL/SWITCH EBC
60
40
6.0
50*
30
100
300
1.0
10
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50
4.0
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5.0
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PNP AMPL/SWITCH
EBC
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50*
30
50
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1.0
10
0.40
50
4.5
200
5.0
260
2N3906
PNP AMPL/SWITCH
EBC
40
5.0
50*
30
100
300
1.0
10
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50
4.5
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PNP LOW NOISE
ECB
30
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100
20
100
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- -
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- -
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50
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- -
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EBC
30
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5.0
50
20
120
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1.0
2.0
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50
4.0
300
5.0
- -
2N4125
PNP AMPL/SWITCH
EBC
30
4.0
50
20
50
150
1.0
2.0
0.40
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4.5
200
5.0
- -
2N4126
PNP AMPL/SWITCH
EBC
25
4.0
50
20
120
360
1.0
2.0
0.40
50
4.5
250
4.0
- -
2N4264
NPN SAT SWITCH
EBC
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15
6.0
12
40
160
1.0
10
0.35
100
4.0
350
- -
35
2N4287
NPN LOW NOISE
ECB
45
7.0
10
30
150
600
5.0
1.0
0.35
1.0
6.0
40
5.0
- -
2N4289
PNP LOW NOISE
ECB
60
45
7.0
10
45
150
600
0.35
1.0
0.80
1.0
8.0
40
4.0
- -
2N4400
NPN AMPL/SWITCH EBC
60
40
6.0
100*
35
50
150
1.0
150
0.75
500
6.5
200
- -
255
Devices are available lead formed,
See pages 216 thru 219 for details.
Also available in Ammopack or Tape & Reel,
See pages 230 thru 235 for details.
(6-December 2004)
相关PDF资料
PDF描述
MPSA62 Small Signal Transistors
MPSA63 1000000 SYSTEM GATE 1.5 VOLT FPGA
MPSA64 1000000 SYSTEM GATE 1.5 VOLT FPGA
MPSA65 Small Signal Transistors
MPSA66 Small Signal Transistors
相关代理商/技术参数
参数描述
MPS-A42 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
MPSA42 AMO 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42 T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,116 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,126 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2